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SI4497DY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 36 A, 0.0033 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4497DY-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine04X9761
Bandes découpées04X9761
Gamme de produitTrenchFET Series
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,920 $ | 4,92 $ |
| Total Prix | 4,92 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,920 $ |
| 10+ | 3,350 $ |
| 25+ | 3,060 $ |
| 50+ | 2,760 $ |
| 100+ | 2,460 $ |
| 250+ | 2,280 $ |
| 500+ | 2,090 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4497DY-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine04X9761
Bandes découpées04X9761
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd7.8W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
7.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4497DY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit