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SI4564DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4564DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3889
Bobine complète87AK5743
Mise en bobine05W6946RL
Bandes découpées05W6946
Votre numéro de pièce
2 157 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,150 $ | 3,15 $ |
| Total Prix | 3,15 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,150 $ |
| 50+ | 2,100 $ |
| 100+ | 1,510 $ |
| 250+ | 1,390 $ |
| 500+ | 1,280 $ |
| 1000+ | 1,170 $ |
| 2500+ | 1,110 $ |
| 5000+ | 1,090 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,795 $ |
| 4000+ | 0,134 $ |
| 6000+ | 0,130 $ |
| 7500+ | 0,780 $ |
| 10000+ | 0,128 $ |
| 12500+ | 0,763 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4564DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3889
Bobine complète87AK5743
Mise en bobine05W6946RL
Bandes découpées05W6946
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0145ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0145ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0145ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0145ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit