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SI4564DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SI4564DY-T1-GE3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86R3889 Mise en bobine05W6946RL Bandes découpées05W6946 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,180 $ | 3,18 $ |
| Total Prix | 3,18 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,180 $ |
| 50+ | 1,770 $ |
| 100+ | 1,580 $ |
| 250+ | 1,460 $ |
| 500+ | 1,330 $ |
| 1000+ | 1,300 $ |
| 2500+ | 1,130 $ |
| 5000+ | 1,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,844 $ |
| 5000+ | 0,827 $ |
| 7500+ | 0,811 $ |
| 12500+ | 0,794 $ |
| 25000+ | 0,777 $ |
| 62500+ | 0,760 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SI4564DY-T1-GE3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86R3889 Mise en bobine05W6946RL Bandes découpées05W6946 |
| Fiche technique | |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 40V |
| Continuous Drain Current Id | 10A |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 40V |
| Drain Source Voltage Vds | 40V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 10A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 10A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0145ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0145ohm |
| Transistor Case Style | SOIC |
| No. of Pins | 8Pins |
| Power Dissipation N Channel | 3.1W |
| Power Dissipation P Channel | 3.1W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | Lead (04-Feb-2026) |
Aperçu du produit
The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Applications
Power Management
Spécifications techniques
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 10A |
| Drain Source Voltage Vds | 40V |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 10A |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0145ohm |
| No. of Pins | 8Pins |
| Power Dissipation P Channel | 3.1W |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 40V |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 40V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 10A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0145ohm |
| Transistor Case Style | SOIC |
| Power Dissipation N Channel | 3.1W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | Lead (04-Feb-2026) |
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI4564DY-T1-GE3
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | Lead (04-Feb-2026) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |