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SI4925BDY-T1-E3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 7.1 A
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4925BDY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète73W9415
Bandes découpées06J7973
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 1,560 $ | 3 900,00 $ |
| Total Prix | 3 900,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,560 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,130 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4925BDY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète73W9415
Bandes découpées06J7973
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id7.1A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel7.1A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.02ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI4925BDY-T1-E3 is a dual P-channel Power MOSFET for load switch applications.
- Halogen-free in according to IEC 61249-2-21 standard
Applications
Automation & Process Control, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.02ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
7.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit