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SI5429DU-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 12A, PP CHIPFET
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI5429DU-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande63W4146
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,300 $ |
| 10+ | 1,010 $ |
| 25+ | 0,921 $ |
| 50+ | 0,837 $ |
| 100+ | 0,741 $ |
| 500+ | 0,645 $ |
| 1000+ | 0,540 $ |
| 2500+ | 0,495 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,30 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI5429DU-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande63W4146
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.0122ohm
Drain Source On State Resistance0.0122ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd31W
Power Dissipation31W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0122ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
31W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.0122ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit