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SI5457DC-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 6A, 1206 CHIPFET
75 556 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,280 $ |
| 10+ | 0,797 $ |
| 25+ | 0,704 $ |
| 50+ | 0,609 $ |
| 100+ | 0,516 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,40 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI5457DC-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande57AJ0447
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleChipFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation5.7W
Power Dissipation Pd5.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
5.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
Power Dissipation Pd
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit