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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 25 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,660 $ | 2,66 $ |
| Total Prix | 2,66 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,660 $ |
| 50+ | 1,700 $ |
| 100+ | 1,140 $ |
| 250+ | 1,020 $ |
| 500+ | 0,897 $ |
| 1000+ | 0,821 $ |
| 2500+ | 0,774 $ |
| 5000+ | 0,726 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6423ADQ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande
Mise en bobine04AJ4589RL
Bandes découpées04AJ4589
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12.5A
On Resistance Rds(on)0.0082ohm
Drain Source On State Resistance8200µohm
Transistor Case StyleTSSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd2.2W
Power Dissipation2.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0082ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
2.2W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12.5A
Drain Source On State Resistance
8200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
