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SI6926ADQ-T1-E3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 4.1 A, 0.03 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6926ADQ-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande85W2161
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,939 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 817,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6926ADQ-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande85W2161
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.1A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
4.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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