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SI7108DN-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 22 A, 0.0049 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7108DN-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète85W3218
Mise en bobine51K6979RL
Bandes découpées51K6979
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 3,910 $ | 3,91 $ |
| Total Prix | 3,91 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,910 $ |
| 50+ | 2,660 $ |
| 100+ | 2,000 $ |
| 250+ | 1,860 $ |
| 500+ | 1,710 $ |
| 1000+ | 1,640 $ |
| 2500+ | 1,610 $ |
| 5000+ | 1,570 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,290 $ |
| 9000+ | 1,270 $ |
| 15000+ | 1,240 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7108DN-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète85W3218
Mise en bobine51K6979RL
Bandes découpées51K6979
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.0049ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation800mW
Operating Temperature Max150°C
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0049ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Operating Temperature Max
150°C
Continuous Drain Current Id
22A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit