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SI7157DP-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -60 A, -20
3 988 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,880 $ | 3,88 $ |
| Total Prix | 3,88 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,880 $ |
| 50+ | 2,060 $ |
| 100+ | 1,890 $ |
| 250+ | 1,740 $ |
| 500+ | 1,570 $ |
| 1000+ | 1,540 $ |
| 2500+ | 1,470 $ |
| 5000+ | 1,400 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7157DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine43Y2402RL
Bandes découpées43Y2402
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.00125ohm
Drain Source On State Resistance1600µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.00125ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
1600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit