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SI7615DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7615DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande15R5220
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,390 $ |
| 4000+ | 1,280 $ |
| 6000+ | 1,250 $ |
| 10000+ | 1,230 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
4 170,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7615DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande15R5220
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0055ohm
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd52W
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit