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SI7625DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7625DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3928
Mise en bobine69W7232RL
Bandes découpées69W7232
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,680 $ | 2,68 $ |
| Total Prix | 2,68 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,680 $ |
| 50+ | 1,800 $ |
| 100+ | 1,270 $ |
| 250+ | 1,160 $ |
| 500+ | 1,050 $ |
| 1000+ | 0,974 $ |
| 2500+ | 0,929 $ |
| 5000+ | 0,883 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,652 $ |
| 9000+ | 0,640 $ |
| 15000+ | 0,626 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7625DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3928
Mise en bobine69W7232RL
Bandes découpées69W7232
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.007ohm
On Resistance Rds(on)0.0088ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd52W
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SI7625DN-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch and load switch applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.0088ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7625DN-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit