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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7812DN-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète51K6999
Bandes découpées85W3224
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,330 $ | 3 990,00 $ |
| Total Prix | 3 990,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,330 $ |
| 6000+ | 1,310 $ |
| 9000+ | 1,280 $ |
| 15000+ | 1,250 $ |
| 30000+ | 1,230 $ |
| 75000+ | 1,200 $ |
| 150000+ | 1,170 $ |
| 300000+ | 1,150 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,820 $ |
| 9000+ | 1,780 $ |
| 15000+ | 1,750 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7812DN-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète51K6999
Bandes découpées85W3224
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.037ohm
On Resistance Rds(on)0.031ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd3.8W
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation3.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI7812DN-T1-E3 is a 75VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.8W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.031ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation
3.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI7812DN-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
