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SI7898DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 3 A, 85 mohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7898DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande15R5230
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 2,020 $ |
| 4000+ | 1,870 $ |
| 6000+ | 1,810 $ |
| 10000+ | 1,770 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
6 060,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7898DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande15R5230
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance85mohm
On Resistance Rds(on)0.068ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.9W
Rds(on) Test Voltage6V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
85mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
6V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
0.068ohm
Power Dissipation Pd
1.9W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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