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SI8410DB-T2-E1
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 5.7 A, 0.037 ohm, TrenchFET, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 0,862 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 6000
Multiple: 3000
5 172,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8410DB-T2-E1
Code Commande44Y1684
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.7A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.8W
Transistor Case StyleTrenchFET
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation1.8W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TrenchFET
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI8410DB-T2-E1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit