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5 037 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,608 $ |
10+ | 0,574 $ |
25+ | 0,544 $ |
50+ | 0,513 $ |
100+ | 0,484 $ |
250+ | 0,456 $ |
500+ | 0,433 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8472DB-T2-E1
Code Commande57AJ0477
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI8472DB-T2-E1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits