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SIA433EDJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA433EDJ-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète05AC9468
Mise en bobine79R5403
Bandes découpées79R5403
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,260 $ | 1,26 $ |
| Total Prix | 1,26 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,260 $ |
| 25+ | 0,779 $ |
| 50+ | 0,654 $ |
| 100+ | 0,527 $ |
| 250+ | 0,476 $ |
| 500+ | 0,423 $ |
| 1000+ | 0,376 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,440 $ |
| 6000+ | 0,423 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA433EDJ-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète05AC9468
Mise en bobine79R5403
Bandes découpées79R5403
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation3.5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.
- New thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint area
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
- Built in ESD protection with Zener diode
- 1800V ESD performance
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
3.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA433EDJ-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit