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SIA461DJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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15 685 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,762 $ |
| 10+ | 0,572 $ |
| 25+ | 0,531 $ |
| 50+ | 0,490 $ |
| 100+ | 0,449 $ |
| 250+ | 0,422 $ |
| 500+ | 0,394 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,81 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA461DJ-T1-GE3
Code Commande62W0506
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation Pd17.9W
Power Dissipation17.9W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- P-channel 20V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- Low on-resistance
- Used in smart phones, tablet PCs, mobile computing
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
17.9W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
17.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SIA461DJ-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits