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SIA466EDJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 25 A, 0.0095 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA466EDJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant44 semaines
Code Commande96X2659
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 44 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,379 $ |
| 9000+ | 0,349 $ |
| 15000+ | 0,342 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 137,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA466EDJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant44 semaines
Code Commande96X2659
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
On Resistance Rds(on)0.0079ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd19.2W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation19.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
On Resistance Rds(on)
0.0079ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
19.2W
Power Dissipation
19.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SIA466EDJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit