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SIHA11N80E-GE3
MOSFET, N-CH, 800V, 12A, 150DEG C, 34W
650 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,610 $ |
| 10+ | 3,420 $ |
| 25+ | 3,300 $ |
| 50+ | 3,210 $ |
| 100+ | 3,090 $ |
| 250+ | 2,830 $ |
| 500+ | 2,550 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,61 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA11N80E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande78AC6507
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.38ohm
Drain Source On State Resistance0.44ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd34W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation34W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.38ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
34W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.44ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
34W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIHA11N80E-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit
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