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341 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,300 $ |
| 10+ | 4,490 $ |
| 25+ | 4,190 $ |
| 50+ | 3,880 $ |
| 100+ | 3,580 $ |
| 500+ | 3,300 $ |
| 1000+ | 2,850 $ |
| 2500+ | 2,770 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA21N80AE-GE3
Code Commande93AH0379
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id7.5A
On Resistance Rds(on)0.205ohm
Drain Source On State Resistance0.235ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation33W
Power Dissipation Pd33W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.205ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Drain Source On State Resistance
0.235ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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