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SIHA6N80E-GE3
MOSFET, N-CH, 800V, 5.4A, 150DEG C, 31W
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,270 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,27 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA6N80E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande78AC6516
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source On State Resistance0.94ohm
On Resistance Rds(on)0.82ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd31W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation31W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.94ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
On Resistance Rds(on)
0.82ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
31W
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit