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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,180 $ |
| 10+ | 7,700 $ |
| 25+ | 7,340 $ |
| 50+ | 7,000 $ |
| 100+ | 6,630 $ |
| 500+ | 6,040 $ |
| 1000+ | 5,980 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
9,18 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB17N80E-GE3
Code Commande77AH0219
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
On Resistance Rds(on)0.25ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd208W
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
On Resistance Rds(on)
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits