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SIHB35N60EF-GE3
MOSFET, N-CH, 32A, 600V, TO-263
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,310 $ | 10,31 $ |
| Total Prix | 10,31 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,310 $ |
| 50+ | 5,640 $ |
| 100+ | 5,170 $ |
| 250+ | 4,930 $ |
| 500+ | 4,670 $ |
| 1000+ | 4,570 $ |
| 2500+ | 4,490 $ |
| 5000+ | 4,390 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB35N60EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Mise en bobine99AC9553RL
Bandes découpées99AC9553
Gamme de produitEF
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.097ohm
On Resistance Rds(on)0.084ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd250W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.097ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
On Resistance Rds(on)
0.084ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
250W
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit