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SIHB6N80E-GE3
MOSFET, N-CH, 800V, 5.4A, 150DEG C, 78W
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,510 $ |
| 10+ | 3,590 $ |
| 25+ | 3,230 $ |
| 50+ | 2,880 $ |
| 100+ | 2,520 $ |
| 250+ | 2,330 $ |
| 500+ | 2,100 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,51 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB6N80E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande81AC2773
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source On State Resistance0.94ohm
On Resistance Rds(on)0.82ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd78W
Power Dissipation78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.94ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
78W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
On Resistance Rds(on)
0.82ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit