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SIHD12N50E-GE3
Power MOSFET, E Series, N Channel, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,720 $ | 3,72 $ |
| Total Prix | 3,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,720 $ |
| 50+ | 2,410 $ |
| 100+ | 1,650 $ |
| 250+ | 1,480 $ |
| 500+ | 1,310 $ |
| 1000+ | 1,220 $ |
| 2500+ | 1,210 $ |
| 5000+ | 1,200 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHD12N50E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine43Y2396RL
Bandes découpées43Y2396
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source On State Resistance0.33ohm
On Resistance Rds(on)0.33ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd114W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation114W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SIHD12N50E-GE3 is an E series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for computing, lighting, consumer electronics, switch mode power supplies and hard switched topology applications.
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching
- Reduced conduction losses
- Low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management, LED Lighting, Consumer Electronics, Portable Devices
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.33ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
On Resistance Rds(on)
0.33ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
114W
Power Dissipation
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit