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1 405 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,990 $ |
| 10+ | 2,080 $ |
| 25+ | 1,890 $ |
| 50+ | 1,730 $ |
| 100+ | 1,570 $ |
| 500+ | 1,510 $ |
| 1000+ | 1,460 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHD4N80E-GE3
Code Commande78AC6519
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance1.27ohm
On Resistance Rds(on)1.1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd69W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation69W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.27ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
69W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
On Resistance Rds(on)
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit