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540 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,270 $ |
| 10+ | 5,200 $ |
| 25+ | 4,050 $ |
| 50+ | 3,880 $ |
| 100+ | 3,700 $ |
| 500+ | 3,560 $ |
| 1000+ | 3,030 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG15N80AEF-GE3
Code Commande57AJ5699
Gamme de produitEF
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id13A
On Resistance Rds(on)0.305ohm
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.305ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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