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516 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,590 $ |
| 10+ | 6,500 $ |
| 25+ | 5,370 $ |
| 50+ | 5,050 $ |
| 100+ | 4,730 $ |
| 500+ | 4,270 $ |
| 1000+ | 4,050 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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7,59 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG24N80AE-GE3
Code Commande21AJ6868
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd208W
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits