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SIHG61N65EF-GE3
MOSFET, N-CH, 650V, 64A, TO-247AC
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 6 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,640 $ |
| 10+ | 17,250 $ |
| 25+ | 16,300 $ |
| 50+ | 15,330 $ |
| 100+ | 14,380 $ |
| 250+ | 13,590 $ |
| 500+ | 12,810 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
22,64 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG61N65EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant6 semaines
Code Commande26AK5800
Gamme de produitE Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance0.047ohm
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd520W
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.047ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
520W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit