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SIHP150N60E-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 22A, TO-220AB
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 30 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,860 $ |
| 10+ | 4,540 $ |
| 100+ | 3,220 $ |
| 500+ | 2,660 $ |
| 1000+ | 2,630 $ |
| 2500+ | 2,580 $ |
| 10000+ | 2,520 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,86 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP150N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande65AK0125
Gamme de produitE Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.155ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.155ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit