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Quantité | Prix |
---|---|
500+ | 5,170 $ |
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Multiple: 1000
5 170,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP33N60EF-GE3
Code Commande31Y6763
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd278W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation278W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SIHP33N60EF-GE3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
- Fast body diode
- Reduced trr, Qrr and IRRM
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Low input capacitance (Ciss)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Portable Devices, Alternative Energy
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
278W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
278W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit