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1 018 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,630 $ |
| 10+ | 1,630 $ |
| 25+ | 1,630 $ |
| 50+ | 1,620 $ |
| 100+ | 1,620 $ |
| 500+ | 1,380 $ |
| 1000+ | 1,280 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP5N80AE-GE3
Code Commande57AJ5701
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance1.17ohm
On Resistance Rds(on)1.17ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.17ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
On Resistance Rds(on)
1.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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