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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,530 $ |
| 10+ | 1,620 $ |
| 100+ | 1,080 $ |
| 500+ | 0,851 $ |
| 1000+ | 0,778 $ |
| 2500+ | 0,731 $ |
| 10000+ | 0,682 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,53 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHU5N80AE-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande77AH0226
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.4A
On Resistance Rds(on)1.17ohm
Drain Source On State Resistance1.35ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
1.17ohm
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Drain Source On State Resistance
1.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit