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SIR178DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 430 A, 400 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR178DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande42AJ0486
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,010 $ |
| 10+ | 1,700 $ |
| 100+ | 1,370 $ |
| 500+ | 1,260 $ |
| 1000+ | 1,130 $ |
| 2500+ | 0,957 $ |
| 5000+ | 0,947 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR178DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande42AJ0486
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id430A
Drain Source On State Resistance400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
430A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIR178DP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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