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SIS407ADN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 18 A, 0.009 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS407ADN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète67X6832
Mise en bobine01AC4972RL
Bandes découpées01AC4972
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
4 454 En Stock
4 454 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,900 $ | 1,90 $ |
| Total Prix | 1,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,900 $ |
| 50+ | 0,963 $ |
| 100+ | 0,707 $ |
| 250+ | 0,645 $ |
| 500+ | 0,581 $ |
| 1000+ | 0,527 $ |
| 2500+ | 0,494 $ |
| 5000+ | 0,462 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,710 $ |
| 10000+ | 0,669 $ |
| 20000+ | 0,633 $ |
| 30000+ | 0,600 $ |
| 50000+ | 0,581 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS407ADN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète67X6832
Mise en bobine01AC4972RL
Bandes découpées01AC4972
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.0073ohm
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd39.1W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation39.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0073ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
39.1W
Power Dissipation
39.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS407ADN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit