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SIS990DN-T1-GE3
DUAL MOSFET, N-CH, 100V, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS990DN-T1-GE3
Code Commande57AJ0416
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
14 038 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,780 $ |
| 10+ | 1,280 $ |
| 25+ | 1,200 $ |
| 50+ | 1,110 $ |
| 100+ | 1,030 $ |
| 250+ | 0,964 $ |
| 500+ | 0,898 $ |
| 1000+ | 0,784 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,78 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS990DN-T1-GE3
Code Commande57AJ0416
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id12.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel25W
Power Dissipation P Channel25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
25W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
12.1A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS990DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits