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SISA12BDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 87A, SURFACE MOUNT ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA12BDN-T1-GE3
Code Commande26AK3557
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
5 660 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,480 $ |
| 10+ | 1,080 $ |
| 25+ | 0,966 $ |
| 50+ | 0,860 $ |
| 100+ | 0,755 $ |
| 250+ | 0,683 $ |
| 500+ | 0,611 $ |
| 1000+ | 0,564 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,48 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA12BDN-T1-GE3
Code Commande26AK3557
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance0.0027ohm
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd52W
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (10-Jun-2022)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0027ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
52W
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (10-Jun-2022)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (10-Jun-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits