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SISF00DN-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, POWERPAK 1212
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISF00DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3490
Mise en bobine81AC2794RL
Bandes découpées81AC2794
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,740 $ | 3,74 $ |
| Total Prix | 3,74 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,740 $ |
| 10+ | 2,530 $ |
| 25+ | 2,300 $ |
| 50+ | 2,080 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,330 $ |
| 10000+ | 1,300 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISF00DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3490
Mise en bobine81AC2794RL
Bandes découpées81AC2794
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel4200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4200µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel69.4W
Power Dissipation P Channel69.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
4200µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
69.4W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
4200µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISF00DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit