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SISH615ADN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 0.0044 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH615ADN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3497
Bobine complète86AK6248
Mise en bobine99AC9585RL
Bandes découpées99AC9585
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Votre numéro de pièce
658 En Stock
658 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,790 $ | 1,79 $ |
| Total Prix | 1,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,790 $ |
| 50+ | 1,160 $ |
| 100+ | 0,809 $ |
| 250+ | 0,734 $ |
| 500+ | 0,659 $ |
| 1000+ | 0,609 $ |
| 2500+ | 0,578 $ |
| 5000+ | 0,545 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,599 $ |
| 5000+ | 0,588 $ |
| 6000+ | 0,497 $ |
| 10000+ | 0,554 $ |
| 18000+ | 0,487 $ |
| 20000+ | 0,524 $ |
| 30000+ | 0,477 $ |
| 50000+ | 0,481 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH615ADN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3497
Bobine complète86AK6248
Mise en bobine99AC9585RL
Bandes découpées99AC9585
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Drain Source On State Resistance0.0044ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd52W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.0044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52W
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISH615ADN-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit