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SISH615ADN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 0.0044 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH615ADN-T1-GE3
Code Commande99AC9585
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
4 608 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,123 $ |
| 10+ | 0,123 $ |
| 25+ | 0,123 $ |
| 50+ | 0,123 $ |
| 100+ | 0,123 $ |
| 250+ | 0,123 $ |
| 500+ | 0,123 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,12 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH615ADN-T1-GE3
Code Commande99AC9585
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0044ohm
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd52W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0044ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISH615ADN-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits