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SISS78LDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 70V, 66.7A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS78LDN-T1-GE3
Code Commande93AH0394
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 32 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,480 $ |
| 10+ | 1,840 $ |
| 25+ | 1,690 $ |
| 50+ | 1,550 $ |
| 100+ | 1,390 $ |
| 250+ | 1,280 $ |
| 500+ | 1,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,48 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS78LDN-T1-GE3
Code Commande93AH0394
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds70V
Continuous Drain Current Id66.7A
On Resistance Rds(on)0.0048ohm
Drain Source On State Resistance5800µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation57W
Power Dissipation Pd57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
70V
On Resistance Rds(on)
0.0048ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
66.7A
Drain Source On State Resistance
5800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation Pd
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits