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SISS80DN-T1-GE3
MOSFET, N CH, 20V, 210A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 25 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,480 $ |
| 10+ | 1,980 $ |
| 25+ | 1,840 $ |
| 50+ | 1,700 $ |
| 100+ | 1,560 $ |
| 250+ | 1,560 $ |
| 500+ | 1,560 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,48 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS80DN-T1-GE3
Code Commande74AH4895
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id210A
On Resistance Rds(on)760µohm
Drain Source On State Resistance920µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation65W
Power Dissipation Pd65W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
760µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
920µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
65W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits