Imprimer la page
SQ2301ES-T1_BE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2301ES-T1_BE3
Code Commande78AH6674
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,350 $ |
| 5000+ | 0,330 $ |
| 10000+ | 0,288 $ |
| 20000+ | 0,257 $ |
| 30000+ | 0,237 $ |
| 50000+ | 0,215 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 050,00 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2301ES-T1_BE3
Code Commande78AH6674
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd3W
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead
Aperçu du produit
Remarques
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
3W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQ2301ES-T1_BE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit