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SQ3493EV-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 8A, TSOP
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8 554 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,720 $ | 1,72 $ |
| Total Prix | 1,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,720 $ |
| 50+ | 1,080 $ |
| 100+ | 0,710 $ |
| 250+ | 0,630 $ |
| 500+ | 0,550 $ |
| 1000+ | 0,500 $ |
| 2500+ | 0,466 $ |
| 5000+ | 0,433 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ3493EV-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AH9291RL
Bandes découpées81AH9291
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation5W
Power Dissipation Pd5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
5W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit