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SQJA37EP-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 30 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,521 $ | 1 563,00 $ |
| Total Prix | 1 563,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,521 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,826 $ |
| 5000+ | 0,812 $ |
| 10000+ | 0,763 $ |
| 20000+ | 0,723 $ |
| 30000+ | 0,686 $ |
| 50000+ | 0,664 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJA37EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3512
Bandes découpées15AN1335
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance9200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation45W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
9200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJA37EP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit