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SUD09P10-195-GE3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,690 $ |
| 10+ | 1,190 $ |
| 25+ | 1,110 $ |
| 50+ | 1,030 $ |
| 100+ | 0,940 $ |
| 250+ | 0,865 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD09P10-195-GE3
Code Commande70AC6526
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id8.8A
Drain Source On State Resistance0.195ohm
On Resistance Rds(on)0.162ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd32.1W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation32.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.195ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.8A
On Resistance Rds(on)
0.162ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
32.1W
Power Dissipation
32.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits