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VS-3C04ET07S2L-M3
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-3C04ET07S2L-M3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine11AM8555RL
Bandes découpées11AM8555
Votre numéro de pièce
26 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 5,060 $ | 25,30 $ |
| Total Prix | 25,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 5,060 $ |
| 50+ | 3,320 $ |
| 100+ | 2,340 $ |
| 250+ | 2,090 $ |
| 500+ | 1,830 $ |
| 1000+ | 1,780 $ |
| 2500+ | 1,750 $ |
| 5000+ | 1,700 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-3C04ET07S2L-M3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine11AM8555RL
Bandes découpées11AM8555
Fiche technique
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current4A
Total Capacitive Charge12nC
Diode Case StyleTO-263AB (D2PAK)
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
VS-3C04ET07S2L-M3 is a 650V, 4A Gen 3 power SiC merged PIN Schottky diode. This wide band gap SiC based 650V Schottky diode, designed for high performance and ruggedness. It is an optimum choice for high speed hard switching and efficient operation over a wide temperature range, it is also recommended for all applications suffering from Silicon ultrafast recovery behavior. Typical applications include AC/DC PFC and DC/DC ultra high frequency output rectification in FBPS and LLC converters.
- Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
- Improved VF and efficiency by thin wafer technology
- Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
- Virtually no recovery tail and no switching losses
- Temperature invariant switching behavior
- 175°C maximum operating junction temperature
- MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
- Meets JESD 201 class 1A whisker test
Spécifications techniques
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
12nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
4A
Diode Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit