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WG40N120HFW1Q
IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
232 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,400 $ |
| 10+ | 6,580 $ |
| 25+ | 5,940 $ |
| 50+ | 5,650 $ |
| 100+ | 5,080 $ |
| 480+ | 4,480 $ |
| 720+ | 4,380 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,40 $
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWG40N120HFW1Q
Code Commande27AM4926
Fiche technique
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation750W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
750W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit