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WMSC016H12B1P6T
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 85 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, WeEnPACK-B1
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 69,480 $ |
| 5+ | 66,430 $ |
| 10+ | 63,350 $ |
| 32+ | 60,220 $ |
| 64+ | 56,860 $ |
| 112+ | 55,860 $ |
| 256+ | 54,370 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
69,48 $
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWMSC016H12B1P6T
Code Commande27AM4932
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleWeEnPACK-B1
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation146W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
85A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
WeEnPACK-B1
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
146W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit