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WNSC2M75120R6Q
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 53.9 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,960 $ |
| 10+ | 8,760 $ |
| 25+ | 7,800 $ |
| 50+ | 7,370 $ |
| 100+ | 6,530 $ |
| 480+ | 5,660 $ |
| 720+ | 5,500 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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9,96 $
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2M75120R6Q
Code Commande27AM4941
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53.9A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation366W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
53.9A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
366W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit